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如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.

来源:学生作业帮 编辑:灵鹊做题网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/04/28 07:17:16
如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.开始时,线框的下边缘到磁场上边缘的距离为h.将线框由静止释放,其下边缘刚进入磁场时,线框的加速度恰为零.则线框进入磁场的过程和从磁场下边穿出磁场的过程相比较,有(  )
A. 产生的感应电流的方向相同
B. 所受的安培力的方向相反
C. 进入磁场的过程中产生的热量小于穿出磁场的过程中产生的热量
D. 进入磁场过程所用的时间大于穿出磁场过程中所用的时间
如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.
A、线框进入磁场过程磁通量增加,离开磁场过程磁通量减小,根据楞次定律,两个过程的感应电流的方向相反,故A错误;
B、线框进入磁场过程和离开磁场过程磁通量都变化,根据楞次定律可以得到安培力是阻碍相对运动,故都是向上,故B错误;
C、根据能量守恒定律,进入磁场的过程中产生的热量为mgl;离开磁场过程重力势能的减小量和动能的减小量都转变为热量,故大于mgl;故C正确;
D、线框进入磁场过程是匀速直线运动,设速度为v;离开磁场过程可能一直是减速运动,末速度不小于v、也可能是先减速后以v匀速运动;故离开磁场过程的平均速度较大;故进入磁场过程所用的时间大于穿出磁场过程中所用的时间;故D正确;
故选:CD.
如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R. 为什么D选项是对的,求详解.如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场. 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L 如图所示,固定的水平光滑金属导轨,间距为L,左端接有阻值为R的电阻,处在方向竖直、磁感应强度为B的匀强磁场中,质量为m的 如图所示,质量为m,边长为L的正方形线框,在有界匀强磁场上方h高处由静止自由下落,线框的总电阻为R,磁感应强度为B的匀强 12.如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方形线圈abcd边长为L 如图所示,水平放置的平行金属导轨间距为l,左端与一电阻R相连.导轨间有竖直向下的匀强磁场,磁场的磁感应强度为B.金属杆a 长为L,间距也为L的两平行金属板间有垂直向里的匀强磁场,如图所示,磁感应强度为B,今有质量为m、带电量为q的正离子从平行 边长为L的正方形闭合金属线框,其质量为m,回路电阻为R.图中MNP为磁场区域的边界,上下两部分水平匀强磁场的磁感应强度大 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B;一正方形线框abcd边长为 、正方形线框边长为L、质量为m、电阻为R,线框的上半部 处于匀强磁场中,磁场的磁感应强 长为L、间距也为L的两平行金属板间有垂直纸面向里的匀强磁场,如图所示,磁感应强度为B.今有质量为m、电荷量为q的正离子从