电子技术基础模拟部分第五版康华光主编中的P122页公式问题

来源：学生作业帮编辑：灵鹊做题网作业帮分类：综合作业时间：2024/05/16 05:06:29

电子技术基础模拟部分第五版康华光主编中的P122页公式问题
在P122 中提到静态工作点Q的选择应该满足ICQ>Icm+ICE0及VCEQ>Vcem+VCES
这里两条公式的右边4个东西分别表示什么
还有,在饱和区时,集电结电压和发射结电压分别该怎么算,是0.7V不?

建议你看一下P112~P114页,Icm是集电极最大电流,Vcem集电极-发射极电压,Iceo是集电极-发射极反向饱和电流,Vces是三极管饱和压降（P109）.
在饱和区,发射结和集电结都处于正向偏置状态,此时发射结电压Vbe为二极管导通电压,硅二极管0.7V,锗二极管0.3V.小功率管你可以认为Vbe=Vce.

电子技术基础模拟部分第五版康华光主编中的P122页公式问题求《电子技术基础（第五版）模拟部分》,康华光主编的, 请问哪里有康华光主编的电子技术基础模拟部分与数字部分第五版的课后复习思考题的答案?谢谢! 谁有康华光的第五版《电子技术基础-模拟部分》的课后习题答案. 《电子技术基础(模拟部分第五版)》康华光高等教育出版社课后答案电子技术基础模拟部分（第五版）康华光编 BJT小信号模型分析法《电子技术基础（模拟部分）》第5版（康华光）习题答案华中科技大学康华光版的电子技术基础数字部分和模拟部分（就是数电和模电）的 PPT课件第五版的实请问哪里有康华光主编的电子技术基础第五版模数电复习思考题的答案? 电子技术基础数字部分康华光版的答案? 电子技术基础康华光哪位有康华光编的的课后习题全解啊?数字跟模拟两部分都要.本人有急用啊. 谁有电子技术基础（数字部分)第五版的完整课后答案华中科技大学电子技术课程组编主编康化光高等教育