PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?

来源：学生作业帮编辑：灵鹊做题网作业帮分类：物理作业时间：2024/04/28 16:22:10

PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?
我的个人理解是：
当p区耗尽区的空穴被填充，这个三价杂质和硅形成的稳定结构，但是这个杂质却因为多了一个电子而带负电，而这个多出来的电子因为还受n区杂质原子正电的影响不能向p方向远去（形成了一个内电场）。从而这个负电结构多了，就形成了负电层，这个负电层与n区的电子相互排斥，当n区杂质原子的吸引力大于负电层的排斥力，耗尽区继续增大，增大后负电层排斥电子的力就会也跟着增大，直至和吸引力相等，耗尽区就稳定了。
这个内电场其实就是这个负电层形成的基础。而这个负电层才是阻止多子扩散的关键。
不知我的理解和猜测对不对。

你的理解有偏颇.
再问：我也觉得这种理解有问题，那么，请不吝赐教。
再答： p性半导体和金属片制作在一起,可以形成pn结，一般肖特基二极管就是这个原理。那个是内建场对少子的抽取，和扩散电流相抵消。扩散是要有浓度梯度的，内建场的存在使中间的浓度梯度降低了。
再问：肖特基二极管是n型和不活跃金属形成的二极管，可是p型和金属在一起会怎么样呢？我想问金属的自由电子能不能和p型的空穴结合，而形成“载流子耗尽区”呢？

PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结? 请问二极管中假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成pn结 PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?追问我最想知道这个问题回答PN结中内电场对多子有作用力追问问题是我很想知 pn结内产生电场电场方向从n指向p 书上说在这个pn结产生的电厂内会阻止多子运动我的理解恰好相反半导体材料中形成pn结,是不是一定要先有p型半导体跟n型半导体?P型硅中是怎么形成pn结的? 简单的把一个p型半导体和一个n型半导体接触在一起?形成pn结（能够,不能,不一定）选什么? 半导体的PN结指的是什么为什么三极管PN结中的电场能阻止电子与空穴的移动? PN结中P型半导体和N型半导体共同的称呼是什么?是不是叫管脚? PN结中内电场怎么会抑制扩散运动 PN结形成是扩散电流的形成原因怎样在p型半导体上形成pn结