uces和ube

标注的电压,一般是对地（参考点）电压.UCEUBE电压就UC-UE;UB-UE

Ui=0.3  Ube=0.7v,Ui<Ube,截止,U0=Vcc=5v  2.Ui=1     Ube

Ube=Ub-UeUbc=Ub-UcPNPUbc=-0.2-(-5)=4.8VUbe=-0.2-0=-0.2VNPNUbc=2-0=2VUbe=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简

ube电压就是一个pn结,硅管的一般是0.6-0.8v,0.7是估算值,pn结不是有一个温度系数α=△Uz/△T,稳定电压小于4v,管子具有负温度系数（属于齐纳击穿）,温度升高压降下降再问：书上怎么说

温度上升会引起放大倍数β增大,故Ib不变时Ic减小.而Ube会随着环境温度的变化而变化,平常说的三极管的Ube为0.0.7V左右,这是室温在25°C时的测试值.经推导,三极管发射结正向压降的变化量是每

otl电路供电上下管可以看做是串联的,上下管工作时只在一半电压下工作,输出中点电压在电源电压一半,1/2-Vce只是最大可输出电压,实际上不失真电压（10%失真以下下）,输出电压只有（1/2-Vce）

1.NPN管(1)三极管损坏.发射结断路,因为NPN管正向导通电压0.7V左右.(2)三极管是饱和状态.因为发射结、集电结电压是正偏置.(3)三极管是放大状态.因为发射结正偏置,集电结负偏置.2.PN

放大区:BE结正向偏置,CE结反向偏置截止区,BE结反向偏置或者零偏饱和区:BE结与CE结均正向偏置其中各个区域主要是根据输入输出特性曲线区分的!

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V＜-2.58V,所以处于饱和状态,于是：U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V＞-0.5

问什么呢?现在看此电路不能正常放大,做整形或波形变换还可以.再问：试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？再答：当uI＝0V时uO＝-5v。当uI＝－5V时uO＝-0.1V.因为T饱和了。

温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.（1）对β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的

最大功率为T1或T2饱和时的功率,Pom=（Vcc-Uces）*（Vcc-Uces）/Rl效率为：Vces*I/Vcc*I*100%=Vces/Vcc*100%晶体管的最大功耗PTmax=Uces*I

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

在放大区时,Ube是不变的,恒定约为0.7V,三极管为流控型器件,ib变化不是三极管本身的原因,是外加电路引起的,常见的三极管的ib为μA级……

三极管放大条件是Uce>Ube,发射结正偏,集电结反偏.这是先决条件,与追问的题目没有冲突“集电极12V且串联一个10K欧的电阻”是指集电极经一个10K欧的电阻接到+12V?“基极2v且串联一个10k

只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!

三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和压降是0.7V

ib=（10-0.7）/20=0.465maic=（1+50）*0.465=23.715ma三极管饱和失真,近似认为uce=0或0.3icmax=10/2=5ma再问：为什么饱和失真就近似认为uce=

UCE不可能是负2伏,应该说UCE不可能是负压,直流通路的情况下,IB=（2V-0.7V）/20k=65uA,IC=βIB=3.25mA,UCE=10-（IC*2k）=3.5V