mos管g级电压如何控制电流-搜答案-灵鹊做题网

仙童2N7000BU/2N7000TAFDV303N（耐压25V）

Vgs代表开启电压

这个有时间限制,和集电结烧毁能量有关.导线载流量一般指安全载流量,具体烧断电流和散热、持续时间有关.这个参数,只说明这个器件可承受短时最大电流,而不是工作电流,供设计可靠性时参考.

加一级光耦隔离.再问：光耦输出电流太小了，我的电流要20mA左右的，那个只有几毫安再答：TLP52150mA，如果还不够可以扩流。

这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压,标记为Ugs(th)一般N-MOSFET的话,这个电压一般是2-4V之间.不过要提醒你的是：这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压,如果要

RU7088R：VGS＝10V,VDS＝70V,ID＝40A,

要解释你的问题,首先要了解MOS管的工作原理.MOS管与一般晶体三极管是不同的.它是电压控制元件,它是栅极电压控制的是S-D极间的体电阻.在栅极施加不同的电压,源-漏极之间就会有电阻的变化,这就是MO

图中的R2和R1没有必然的联系,可以独立设置.你说的是不是LM358的放大比设定?R5/R4?R5/R4是LM358的放大比,比值越大LM358的输出电压高越高,MOS管的输出电流（LED的电流）也就

上管G只有0.38V根本达不到导通条件,先查驱动芯片7120的1、5、8、7脚有无正常电压查看原帖>>麻烦采纳,谢谢!

三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易

型号4N65种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型开启电压1（V）夹断电压1（V）

G不用高于DG一定要高于Gth电压就是G导通的门限电压其实G应该高于Gth+S的电压

阈值电压受衬偏效应的影响,即衬底偏置电位,零点五微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos负0.8,过驱动电压为Vgs减Vth

IRF9609640再问：导通阻抗最好能到毫欧级

如果你想通过调节VGS电压,来控制沟道电流Id,建议你选用耗尽型场效应管.控制电压0－6V；开关型MOSFET才有开通电压VT一说,开关型MOSFET不适合你的应用.你提的问题,电脑有字数限制,几句话

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=2SC5353&lang=en&type=datasheetDatasheet在这里了,看不懂

变压器最少需要一个线圈,线圈的中间抽头可以输出电压.通常线圈匝数越多可以输入电压越高.为了得到两个电压的隔离效果,大量使用两个线圈以上的变压器.关于电流的控制需要了解输出电压和输出功率,输出功率越大其

兄弟!以下有几款Mos管.都符合你的要求.随便抓一个就OK.至于接法嘛.很简单.D接输入.S接输出.G接IC脚.值得注意的是.G脚一定要接一个电阻到S.大概是100K吧.用于静噪.防止勿开启.封装一般

MOS管是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启.在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的.沟道开通后,理论上说不需要栅极维持电流,但

mos管损坏了,是短路所以有13ma的电流