三极管截止区的问题. 书上说U be 小于死区电压时,I b=0,什么意思
来源:学生作业帮 编辑:灵鹊做题网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/06/17 22:21:13
三极管截止区的问题. 书上说U be 小于死区电压时,I b=0,什么意思
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死区电压也叫开启电压,是应用在不同场合的两个名称.在二极管正负极间加电压,当电压大于一定的范围时二极管开始导通,这个电压叫开启电压.锗管0.3左右,硅管0.7左右.死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时,由于本身的压降,也就是供电电压小于一定的范围时不导通,造成输出波形有残缺,从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候,这一段电压就是死区电压,本质上就是二极管的开启电压.当二极管加上正向电压时,便有正向电流通过.但正向电压很低时,外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力,此时正向电流很小,二极管呈现很大的电阻.当正向电压超过一定数值(硅管约0.5V,锗管约0.1V)后,二极管电阻变得很小,电流增长很快.这个电压往往称死区电压.理想二极管:死区电压=0 ,正向压降=0实际二极管:死区电压为0.5V,正向压降为0.0.7V(硅二极管)锗管死区电压约0.1V,正向压降为0.0.3V 所谓死区电压:由于PN结内部有自建电场,电子和空穴的漂移作用,其内部本身就具有一定的电能,也就是说它的内部本身带有电荷,我们利用它的单向导电性,其实就是给PN结加上外部电压,破坏了它内部自建电场的平衡,当然!这需要达到一定的电压值,至少要高于PN结内部的自建电场.也由于二极管内部的材料是半导体,它对电压有一定的阻力.电压过低,则无法破坏PN结内部的自建场,所以不同材料的管子,也就有不同的死区电压.
硅的PN结电压是0.7V,而锗是0.3V.
硅的PN结电压是0.7V,而锗是0.3V.
加在晶体二极管的正向电压小于死区电压时,二极管(),硅管的死区电压(),锗管的死区电压(),加在...
三极管的输入伏安特性曲线中Ube应该不能大于死区电压,导通后应该等于死区电压,
三极管的输出特性其中在截止区的时候,当Ib等于0的时候,为什么此时的电源电压等于管子的集电极电压,
三极管作用NPN三极管 截止状态 当E脚电压比B脚电压高时为截止.饱和,导通 B脚电压比C.E都高时为 导通 饱和放大
晶体管be间电压问题如图,左下方回路中,ui+U(Rb1)=U(be)=0.7V,那么是不是说信号电压和Rb1上的电压和
三极管基级输入正玄电压时,发射区不是有段要反向截止吗,为什么集电极还是一样的规律放大的啊?
关于二极管的死区电压和导通压降
书上说,三极管,Ube0时,饱和
Rc有什么用,书上说集电极电阻Rc的作用是将三极管CE回路中的交流电信号转变为交流电压信号.
三极管饱和区特性曲线三极管工作在饱和区时,基级和集电极时正偏的,也就是说B点电压高于C电压.Ib一定时,当UCE=0时,
三极管非门电路如图所示,设D为理想二极管,则当三极管T截止时,输出端F的电压为?
NPN型三极管共射放大消除截止失真时为什么说最好不用减小Rb电阻阻值的办法?