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一P型半导体Si样品电阻率为0.4 -cm(300K).要制备一个肖特基结(金属半导体整流接触),有如下

来源:学生作业帮 编辑:灵鹊做题网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/06/07 15:15:44
一P型半导体Si样品电阻率为0.4 -cm(300K).要制备一个肖特基结(金属半导体整流接触),有如下两种金属,功函数分别为:Al:Wm=4.20eV,Pt:Wm=5.4eV.选择合适的金属,给出选择的理由.并计算金属一侧的势垒高度qms和半导体一侧的势垒高度qVD.
一P型半导体Si样品电阻率为0.4 -cm(300K).要制备一个肖特基结(金属半导体整流接触),有如下
1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)
2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV
3.为了得到肖特基结,要求P型半导体满足Wm