UCE

标注的电压,一般是对地（参考点）电压.UCEUBE电压就UC-UE;UB-UE

图呢.

aa《模拟电子技术基础》对三极管的外特性有很清楚的描述:集极电流Ib增大时,假设放大倍数不变,集电极Ic也会同比例增大.根据外特性曲线,Ic增大后,直流工作点从放大区向饱和区移动,Vce会相应减小,等

因为这时晶体管处于饱和状态,集电结和发射结都正偏,则很小的集电结电压变化即可引起很大的集电极电流变化.详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

温度,通过三极管电流变化,会导致三极管工作功率变化,最终导致三极管结温上升或下降.任何元器件温度变化都会导致工作参数变化,只是大小问题.

这个东西不是嘴巴说的,而是从三极管的输出特性曲线上查出来的.三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来,虽然不同器件之间曲线有所不同,但总体上的规律与书上的图是一样的.你随便找本摸电书看看,查一下三极管的

电压是由偏置电路中的电阻确定的,因而不随晶体管变化,而基极电流Ib则与晶体管等效电阻有关,故变化.建议参考童诗白、华成英《模拟电子技术基础》再问：Ic不是随Ib变化的吗？再答：Ic也会变的，只有电压是

取决于Rb,Rc,和三极管的放大倍数β假设Vcc增大至2倍Vcc则Ib增加了Vcc/Rb,集电极电流Ic增加了β*Vcc/Rb集电极电阻上压降增加了Rc*β*Vcc/Rb,但是同时Vcc增加到2×Vc

Ucc一般指双极型集成电路的电源电压,因为这类电路中用的是双极型三极管,cc就表示多个双极型三极管,对于cmos数字集成电路大都用Udd表示电源电压,因其内部用的是MOSFET,而Uce指的是三极管c

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压

Uce=Vcc-Ic*Rc说的是三极管外电路的关系.因为VCC和地之间只有Rc和三极管,所以电阻上降的电压加上三极管ce之间降的电压必然等于VCC.而这时Ic的变化只能靠Ib变化,而三极管特性曲线的那

由输出特性曲线看出来的.再问：看不出来啊，输出特性曲线是指一定基极电流下，集电极电流与集电结电压uce之间的关系曲线，没提到电源电压ucc啊。不过uce=0时处于饱和区倒看懂了。再答：你看uce和ic

肯定可以啊再问：Ube呢？再答：放心吧，都可以的

共集电路电路不要加R1,它的存在影响回路电流从而影响输出功率.再说它在CE回路中起到分压作用,当基极电阻不变时,可能使bc结在信号正半周正偏而失去放大作用,造成失真.再问：我知道R1电阻没用我想知道为

这个很容易理解,为了从本质揭示道理,从基本原理说起,首先楼主知道两个常识：1,三极管导通后,有一放大效应,集电极电流Ic=β*Ib,这个本质原因就是发射极参杂了大量的多子,也就是自由电子,在适当的外界

问的好这个要结合三极管的结构和工作原理来分析以NPN型管为例三极管工作与放大区时要求发射结正偏集电结反偏在发射结正偏电压的作用下,发射区中的多子电子流向基区,一部分在基区和基区的空穴复合形成基极电流,

当Ic增大到使Uce很小时,也就是Uc接近于Ue时,此时三极管已经失去了放大能力,Ic已经不能随Ib的增加而增加,所以称为饱和区!此时Uce已经很小了,即处于你下图中虚线左边的位置了!你上面的电路中,

ib=（10-0.7）/20=0.465maic=（1+50）*0.465=23.715ma三极管饱和失真,近似认为uce=0或0.3icmax=10/2=5ma再问：为什么饱和失真就近似认为uce=

UCE不可能是负2伏,应该说UCE不可能是负压,直流通路的情况下,IB=（2V-0.7V）/20k=65uA,IC=βIB=3.25mA,UCE=10-（IC*2k）=3.5V