PN结加反向电压时,耗尽层将变大,有利于少子

PN结上的电压与电流不符合欧姆定律.当PN结外加正向电压时,电流随电压按指数规律变化；当PN结加反向电压时,电流约等于反向饱和电流.当外加电压极性不同时,PN结表现出不同的导电性能,即出现单向导电性.

没有反向电压了,反向电流就没了,在高压条件下你想让它没电压是绝对不可能的,你想要反向电流小倒有可能,想一点也没有,现在还没人做得到.

耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（

正向导通、反向截止；反向击穿答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!

集电结反偏应该是截止状态啊.怎么会是放大状态再问：有相关的文档吗再答：。。任何一本模电书都有讲。或者你百度一下三极管的工作状态。百度文库第一篇就有再答：。。。不过。我刚刚看了一下我好像记错了。再问：哦

平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着

当外加反向电压时,呈现的电阻（反向电阻）很大,通过的电流很小（通常可以忽略不计）

二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大.

因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴

如果加到PN结两端的电压达到一定的值的时候,反向电流突然增加,这个现象称为PN结的反向击穿又称电击穿.PN结击穿有两个原因,一个是雪崩击穿,还有一个是齐纳击穿（大多出现在齐纳二极管中）雪崩击穿和齐纳击

多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载

正向电流正常通过,反向会出现一个壁垒阻止电流通过.反正就是PN节一边只能存在正电荷一边只能存在负电荷,正负相吸就过去了,正正相撞就过不去了.具体语言自己组织吧.

不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用.补充：应该是所有硅材料管（PNP和NPN）的B

这是关系到pn结基本原理的问题,在一般的电路书籍中不会讲到.（1）“在高掺杂的情况下,耗尽层宽度很小”：由于耗尽层就是空间电荷区,其中的空间电荷主要是杂质电离中心提供的,因此掺杂浓度越大,电荷密度就越

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄

P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子

可以用单向阀来理解,当水正向通过的时候,阀门打开,水流很大,当水反向过来的时候,阀门闭合,但也有极少量的水渗漏过去.反电压就是如此,增加了内电场相当于关闭阀门,电流过不去,而通过少子漏过去的电流太小,

加正向电压是导通状态,加反向电压是阻断状态.

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向