设晶体管为硅管,Uces=0.3V,B=100,IB=0.1MA-搜答案-灵鹊做题网

硅管,NPN,放大状态下……

你先量一下电压,有极性电容,正极接电压高的一端,负极接电压低的一端即可.

由于UBE=0.7v,且UC>UB>UE,是硅管,直接接在分别接在晶体管的b,e,c极上,不知道答案满不

这个来源就多了.温度影响噪声,偏置电压的误差,以及测量仪器本身精确度都会造成误差

经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V＜-2.58V,所以处于饱和状态,于是：U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V＞-0.5

晶体管的输入电阻比较小,一般在K欧姆级别；等效电路是用电阻表示；MOS管的输入电阻比较大,一般在M欧姆级别；等效电路可以用开路表示.

问什么呢?现在看此电路不能正常放大,做整形或波形变换还可以.再问：试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？再答：当uI＝0V时uO＝-5v。当uI＝－5V时uO＝-0.1V.因为T饱和了。

场效应管工作的时候,输入极（栅极）是和衬底绝缘的,没有电流流入,依靠和衬底之间的电压来控制源极-漏极之间的电阻大小.结型场效应管的原理差不多,其工作时候的PN结是反偏的,也没有输入电流.场效应管是电压

6-0.3=5.7选B再问：不过为啥答案是2V呢？再答：题目缺个条件----电源电压，所以按通常情况（静态工作点为1/2电源电压）估算来选B。电源电压低于12V则A、B、C都不符合要求，只能选D。再问

你只要记住放大电路工作的条件,也就是发射结正偏,集电结反偏即可.从题目中可以看到,三极管是放大状态,所以是导通的,那么发射结的压降应该是0.2V（锗管）或者0.7V（硅管）,从Ua和Uc的电压判断,这

放大电路,硅管Ube约为0.0.7V,由此可知,该三极管为硅管.且11V端为C极,根据三极管发射结正偏,集电结反偏,NPN型UC>UB>UEPNP相反,故为NPN管

电容电压是10V,输出功率8W再问：怎么算的再答：OTL电路输出电容的电压就是电源电压的一半，然后功率P=[(Vcc-2Uces)/2]∧2/RL

同一点接入为并联,不同节点接入为串联

ICM是三极管的极限参数,意思是集电极可以承受的最大电流.Vcc/RL是实际电路中可能出现的最大电流,当然ICM要大于Vcc/RL.

看晶体管的输入和输出部分,如果基极和发射极构成输入回路,集电极和发射极构成输出回路,那么就是共射如果发射极和基极构成输入回路,集电极和基极构成输出回路,那么就是共基如果基极和集电极构成输入回路,发射极

模电Uces=0.

三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和压降是0.7V

你是没搞清楚运放和比较器的区别.运放在工作范围内输出电压是和输入电压线性变化的；而比较器只是一个比较作用输出电平就是高和低.搞清楚运放和比较器的定义你就明白了

一只标志不清的晶体管三极管,可以用万用表判断它的极性,确定它是硅管还是锗管,并同时区分它的管脚.对于一般小功率管,判断时一般只宜用Rx1K档.步骤如下：1.正测与反测将红黑表笔测晶体管的任意两脚电阻,