npn硅三极管ube电压0.4

标注的电压,一般是对地（参考点）电压.UCEUBE电压就UC-UE;UB-UE

Ube=Ub-UeUbc=Ub-UcPNPUbc=-0.2-(-5)=4.8VUbe=-0.2-0=-0.2VNPNUbc=2-0=2VUbe=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简

先回答你的题目：做题目过程中,为了简化,一般假设这个值恒定为0.7V.实际上不是,随着BE电流增大（其实也就是基极电流Ib）UBE的电压也会适当增加,但偏差不大.（下面以国内最经典的模电书,童诗白的那

你看错了吧,当IB不变时UCE增大IC增大

在EWB和orcad中没有9013等型号,而且9013的有不同的型号,放大倍数也不一样；当在仿真中,使用增益较小的三极管仿真时候,会出现放大状态的.因此用型号不同的三极管仿真是很难得出正确结论的.

NPN三极管截止时,be电压肯定小于导通电压,CE、BC之间相当于开路,单独看BE、BE相当于二极管,饱和时B、C、E之间相当于短路.再问：相当于导线？那怎么还有饱和压降Uces什么的呢？再答：相当于

1.NPN管(1)三极管损坏.发射结断路,因为NPN管正向导通电压0.7V左右.(2)三极管是饱和状态.因为发射结、集电结电压是正偏置.(3)三极管是放大状态.因为发射结正偏置,集电结负偏置.2.PN

分析了一下,iie2010说的确实有道理,你参考模电,自己分析一下就知道了

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

答：1）三极管工作在放大状态；（此时发射结Ube=0.7V正偏,Ubc=-2.3V反偏,所以符合放大状态判定条件）2）工作在截止状态；（此时Ube=0.4V虽然正偏但是没有越过0.7V的门槛电压,所以

万用表接基极和发射极然后换方向看电流方向就可以了

温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.（1）对β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

错.Ube要大于死区电压,基极电流Ib才会产生.Ube小于死区电压三极管处于截止状态.硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在放大状态下,要求Ib与集电极电流Ic呈线性的比例关系,NPN型硅管

根据三极管的外形来判断1.一般说来,PNP型三极管的外壳比NPN型高得多.另外,NPN型三极管外壳上有一个突出标志,根据这些不同就可以把它们区分开来.2.用万用电表的欧姆挡来判断根据等效电路的不同,就

不可以的.哪有这么高的电压加到三极管再问：为什么，有什么文档可以说明一下吗？再答：三极管本身就是两个PN结。PN结的电压是非常低的再问：1N4007也是PN结啊，也可以加在220V交流上用作整流啊。再

基集电流放大后集电集的电流不会大于总电源的电流的.S8550的三极管基集偏置电阻一般为几十到几百千欧,发射集的偏置电阻一般为100欧到1千欧.具体的要看你的集电极电流Ic需要取多大.以基本共射放大器为

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通