mos管G极并联两个电阻

不一定的!一般为6.5或者1.5这要看电路是怎样设计的!3842那的取样电压为多少?

N--D之间电压应符合耐压极限参数,超出太多当然容易击穿损坏的.具体可查你选用元件手册.

讲解这个很费功夫,我上次仔细讲解了一个,花了很多时间,后来他忘了关闭问题,结果,悬赏的100分,被另一网友投票拿走了.（拿到100分的“知友”仅仅提供了一灌水答案“OK”）再问：谢谢，不过你等于没讲，

由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压,标记为Ugs(th)一般N-MOSFET的话,这个电压一般是2-4V之间.不过要提醒你的是：这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压,如果要

MOSFET的反并二极管,是一个普通二极管!且只能当作普通二极管使用.boost电路,一般要选用开关二极管,快恢复型二极管.BOOST电路,使用普通二极管,输入电流肯定要上升一倍多,这是因为普通二极管

晶体管的输入电阻比较小,一般在K欧姆级别；等效电路是用电阻表示；MOS管的输入电阻比较大,一般在M欧姆级别；等效电路可以用开路表示.

这个没有定数,RG一般在10-100欧之间,RT在2.7K---10K之间,和输出功率以及MOS有关.因为每种型号的MOS的结电容都不一样,虽然MOS是电压驱动元件,但是还是需要电流的,所以高结电容容

上管G只有0.38V根本达不到导通条件,先查驱动芯片7120的1、5、8、7脚有无正常电压查看原帖>>麻烦采纳,谢谢!

缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动

电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小,同时也会引起效率下降.峰峰值和过电压的尖峰不是一回事.

MOS管的GS级有寄生电容,而且电容值还不小,所以通常情况下会在GS之间挂一个几K的电阻,平且在驱动线路中串如一个几欧姆或者更小的电阻,以防止驱动放生震荡再问：PWM方波输出脚为什么要并联一个4148

没有变化的,或者说变化不大.G-S并电阻是为了保护MOS,从线路原理上说是不用加的,但实际的经验是要加的,一般是10K-56K,10K用得最多

加个470K左右试试,具体原因我也不是很清楚.我用irlml6402时,通过测试选用了470K的电阻.如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下,------------------------------

N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D.增强耗尽接法基本一样.P是指P沟道,N是指N沟道.G：gate栅极S：source源极D：drain漏极说得够明白了.

电阻很难做进芯片内,体积也大,恒流源的作用和电阻一样,但可以用半导体做,能做到芯片内.

由问题可知你对MOS管还是有一定的了解.一般的回路图里,MOS管的源极接一个电阻,然后接地.此电阻一般很小,为毫欧级,主要用于电流采样,把电流讯号转化为电压讯号,用于监控回路电流.如还有疑问可把回路图

因为MOS管栅极与漏极和源极之间的绝缘电阻很高,绝缘层很薄,栅极很容易积累电荷把绝缘层击穿而损坏MOS管,在使用过程中如果有较高电压加到栅极也要击穿绝缘层而损坏MOS管,所以要在MOS管栅极并联稳压管

mos管驱动电阻烧了,说明这个管子已经击穿损坏了（管子正常的话这个驱动电阻是不可能烧的,mos管是电压驱动型器件）,再通电的话就可能会炸.再问：不是的，我后好直接把管子的删极电阻去掉，一加310DC电