灵鹊做题网mos管gs电流
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/30 00:41:08
这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数.一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的,希望能帮到你.还有其他疑问的话,可以选择追问再问：Vgs怎
Vgs代表开启电压
二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.
这个有时间限制,和集电结烧毁能量有关.导线载流量一般指安全载流量,具体烧断电流和散热、持续时间有关.这个参数,只说明这个器件可承受短时最大电流,而不是工作电流,供设计可靠性时参考.
MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.
有两个用处,第一是保护,防止不正常工作状态和误触发.第二是让mos管尽快从导通进入到截止,这个10K的电阻就是提供一条让mos管的基极电荷流到地的通道,提高MOS管的开关速度,进而提高电路性能.
IRF540N的导通起控电压为2-4V,GS极之间最高电压不能超过20V,质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小）,所以使用时如果有脉动或尖峰电压时,最好在GS两极之间接入一12-15V
RU7088R：VGS＝10V,VDS＝70V,ID＝40A,
Gs电压很低啊,你说的是DS电压么
三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易
IRF540N的导通起控电压为2-4V,GS极之间最高电压不能超过20V,质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小）,所以使用时如果有脉动或尖峰电压时
不好意思,这个不是我的专业,不过我想你只要在网上随便搜索一下,就可以找到很多
栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.
IRF9609640再问：导通阻抗最好能到毫欧级
5V的MOS管就很少加上又是这种超低电流的目前是没有哦、600ma最低也是20V的
电阻很难做进芯片内,体积也大,恒流源的作用和电阻一样,但可以用半导体做,能做到芯片内.
如果你想通过调节VGS电压,来控制沟道电流Id,建议你选用耗尽型场效应管.控制电压0－6V；开关型MOSFET才有开通电压VT一说,开关型MOSFET不适合你的应用.你提的问题,电脑有字数限制,几句话
没有上下文不好解析,开关电流说不好,MOS管的峰值电流应该是管子的参数,就是能承受的最大电流,最大漏极电流和变压器一次测峰值电流是同一个东西,就是在电路工作的时候初级线圈的最大电流.
MOS管是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启.在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的.沟道开通后,理论上说不需要栅极维持电流,但
mos管损坏了,是短路所以有13ma的电流