mos管 正负控制

这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数.一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的,希望能帮到你.还有其他疑问的话,可以选择追问再问：Vgs怎

Vgs代表开启电压

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

这个有时间限制,和集电结烧毁能量有关.导线载流量一般指安全载流量,具体烧断电流和散热、持续时间有关.这个参数,只说明这个器件可承受短时最大电流,而不是工作电流,供设计可靠性时参考.

MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管,有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵.三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做

1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才

加一级光耦隔离.再问：光耦输出电流太小了，我的电流要20mA左右的，那个只有几毫安再答：TLP52150mA，如果还不够可以扩流。

图中的R2和R1没有必然的联系,可以独立设置.你说的是不是LM358的放大比设定?R5/R4?R5/R4是LM358的放大比,比值越大LM358的输出电压高越高,MOS管的输出电流（LED的电流）也就

作用一样都是信号触发引起电流导通区别：三极管导通电流大,开关频率低mos管导通电流小,开关频率高.另外由于mos管的结构,使之自带一个反向二极管.

三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易

是指MOS类型,分别有N沟道与P沟道.上图中两种管子都是：N沟道MOS管

型号4N65种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型开启电压1（V）夹断电压1（V）

MOS管是一个通过改变电压来控制电流的器件,有时候也被称为绝缘栅场效应管.近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管,之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势：1.输入阻抗高.输入阻

占空比不变,频率降低,对于PWM波来说,输出的有效值并没有降低.MOS是电压控制器件,既然栅极的电压和电路其他器件没有变化,导通电流有什么理由变化呢?

如果你想通过调节VGS电压,来控制沟道电流Id,建议你选用耗尽型场效应管.控制电压0－6V；开关型MOSFET才有开通电压VT一说,开关型MOSFET不适合你的应用.你提的问题,电脑有字数限制,几句话

三极管BJT与场效应管FET的区别很多,简单列出几条：1、BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流.BJT第一参数是电流放大倍数β值,FET第一参数是跨导gm；2、BJT线性较差,FET线性较好

MOS管是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启.在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的.沟道开通后,理论上说不需要栅极维持电流,但