mos管 si2302的管脚

讲解这个很费功夫,我上次仔细讲解了一个,花了很多时间,后来他忘了关闭问题,结果,悬赏的100分,被另一网友投票拿走了.（拿到100分的“知友”仅仅提供了一灌水答案“OK”）再问：谢谢，不过你等于没讲，

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

可行的.S接VCCG接控制管脚,如果你是51类的单片机,最好在GS之间接一个上拉电阻.D就是受单片机控制了.高电平关断,低电平导通但你不能用它来控制单片机本身

MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.

是一上电就炸还是老化的时候炸?这个要知道了才可以分析,我是专业设计生产LED驱动电源的厂家,有什么问题可以随时交流.再问：谢谢.是在老化时炸,,冲的时候把限流电阻炸了再答：冲的时候把限流电阻炸了？不太

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才

简单地讲就是用栅极G电压的高低变化来控制源漏的导通和截止（通和断）.

在导通情况下,用万用表测量电阻值是不准的.根据戴维南定理,二端口网络的电阻是两个支路电阻的并联值.因此,要串个万用表测电流,在导通情况下,再使用另一个万用表测量其Vds.电阻等于电压除以电流.当然,这

粗略测量:设计一个电阻串联MOSFET的电路,给一个恒压源.设计电阻阻值来限制电流,测试MOSFET两端压降U/I=R

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个

作用一样都是信号触发引起电流导通区别：三极管导通电流大,开关频率低mos管导通电流小,开关频率高.另外由于mos管的结构,使之自带一个反向二极管.

型号4N65种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型开启电压1（V）夹断电压1（V）

不同厂家生产的三极管,即使封装外形一样,管脚顺序也不一定是一样的,除非你有厂商给的应用资料,否则,光靠查询,很难找到答案.正如楼上所说的,还是需要测量识别.

三极管BJT与场效应管FET的区别很多,简单列出几条：1、BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流.BJT第一参数是电流放大倍数β值,FET第一参数是跨导gm；2、BJT线性较差,FET线性较好

mos管也叫场效应管,在当今电子元件中用的比较多三极管是过去经常用的用法基本差不多,场效应管体积要小,工作要稳定一些

一只标志不清的晶体管三极管,可以用万用表判断它的极性,确定它是硅管还是锗管,并同时区分它的管脚.对于一般小功率管,判断时一般只宜用Rx1K档.步骤如下：1.正测与反测将红黑表笔测晶体管的任意两脚电阻,

这要看具体型号的.但目前大多数情况下的管脚排列都是一致的,只有个别型号不同.大多数管脚排列是这样的：带字的一面面对自己,从左到右依次为：G极（栅极）,D极（漏极）,S极（源极）.

1、负载电流IL——它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；4、MOS管最大允许工作温