电位移,电荷面密度-搜答案-灵鹊做题网

△q=电荷面密度*△s=电荷体密度*△v在一个微元的情况时,△v=△s*△r所以电荷面密度*△s=电荷体密度*△s*△r所以电荷面密度=电荷体密度*△

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英文读法为：sigma；中文为：西格玛.

书上错了,右面分母漏了一个真空介电常数ε0,应为σ/ε0

这个没有办法用高斯定理做,假设用高斯,首先要做个闭合的面,这个面只能是个球面（别的面就更复杂了）,而这个球面上的场强肯定是大小不均的,你又不能用电量除以面积积分得场强.要求解的话,要积分,把半球面细分

把半球面看作许多圆环,积分即可没有必要在这问这些问题,把教材静电场例题及课后题做会就行了前提是会点微积分知识

每一个“无限大”均匀带电平面,在空间产生的电场强度为σ/(2ε0),三个平面把空间分成四部分,根据场强叠加原理,四部分空间的场强从左到右分别是：3σ/(2ε0),方向向左；σ/(2ε0),方向向左；σ

1、先由高斯定理求出电场分布,然后求出球心的电势,用e0表示真空介电常数,用p0表示电荷面密度,:U=(p0/e0)*[(R1^2+R2^2)/R2+R1^2*(1/R1-1/R2)]=300,即可以

教材上有详细的证明.在静电场中的电介质部分.因为符号及图太复杂,这里没有办法写出来.

面密度不趋于无穷大的话,线密度就趋于0.所以这个问题是不会出现的.

这个就是圆盘（有宽度的圆环）的dq吧2πr是每层的圆周dr就是它的宽度从零到r就是圆盘

D=eE.这里e代表介电常数,是相对介电常数和真空介电常数的积,是个和物质有关的量.所以只要求E就行了.根据高斯定理E=d/(2e0)这里d为电荷面密度,e0为真空介电常数.

1.从场强产生的原因来说,电荷越多越密集,产生的场强就越强.2.从电容的角度来说,U=Q/C,电容一定,电荷的面密度越大,电荷量越大,U越大,再根据U=Ed可知,场强越大.

靠近A的面为-a,背离A的面为+a.看这个答案的分布,基本选A再问：答案是b再答：晕，对不住了，我指导错了，应该是电场连续，A形成的电场在再答：B的位置也是连续的，B是等势体，内部场强为0，因此B中电

取高斯面S,ES＝4πkOS/ε,E=4πkO/εls的单位ms不对.

D是为了更加方便的描述电场而定义的物理量.没有实在的物理意义,是一种数学上的含义.D的通量指的是D对曲面的积分,可以狭隘的理解成D乘以S（面积）.所以应该是D对曲面的积分就是面内电荷的总量.你最后说的

极化面电荷密度是极化强度散度的相反数,也就是（极化面电荷密度）=-div（极化强度）

内部静电屏蔽了

因为2个概念不一样的.吧,,这问题好BT

高数厉害的话可以用积分算.不想用积分可以用高斯定理.做一个圆柱状的高斯面,上顶面和下底面距离带电平面距离相等,设为h,上下面的面积记为S.由对称性,电场一定垂直于带电平面,且上下对称.2*E*S=σS