数域p上的空间pn

证明：∵BD平分∠ABC∴∠ABD＝∠CBD∵AB＝BC,BD＝BD∴△ABD≌△CBD（SAS）∴∠ADB＝∠CDB∵PM⊥AD,PN⊥CD∴∠PMD＝∠PND∵PD＝PD∴△PMD≌△PND（AA

呼呼~想了一会儿呢~还打了草稿首先,我们假设p1,p2,.pn中各元素的逆序数为t1,t2……,tn即p1的逆序数是t1（其实t1=0,为说明问题方便,把它写成t1）,p2的逆序数是t2……pn的逆序

由椭圆的定义知,点P的轨迹为椭圆,其方程为：x^2/9+y^2/5=1.设点P(x0,y0),由余弦定理得：|PM|^2+|PN|^2-2|PM|*|PN|cos∠MPN=|MN|^2.即：(|PM|

任取数域P上任意两个n维线性空间V1,V2.取V1上的一组基a1,a2,···,an；取V2上的一组基b1,b2,···,bn.则任意向量a属于V1有a=k1a1+k2a2+···+knan；构造映射

A为幂零变换的充分必要条件是A在任意基下的矩阵A是幂零矩阵.问题转换为“A为幂零矩阵的充分必要条件是A的特征值全为0.”再问：谢谢你。再答：不客气。

P有可能在MN外有可能在直线MN上但一定不会在线段MN

设P（x，y），则PN＝(10−x，−2−y)，PM＝(−2−x，7−y)，∵PN=-2PM，∴10−x＝−2(−2−x)−2−y＝−2(7−y)，∴x＝2y＝4∴P点的坐标为（2，4）．故答案为：（

必须先有一个P型衬底,然后在通过在P衬底表面氧化,切除一块氧化膜,然后再在切除位置向里面扩散磷（磷的化学式是P,LS说错了）就可以了大概就是个这,其中的细节还是很多的,这个要牵扯到工艺

C（金刚石）2s22p2

正确.因为与A可交换的矩阵为对角矩阵.[-1,0;0,0],[0,0;1,0],[2,0,0,1]为所求的一组基.这样可以么?

那就看此线性空间中的一组基到底含有多少个向量呗?这组基中有多少个向量,空间维数就是多少这组基要能线性表示出空间中任意一个向量（在这里,就是任意一个下三角阵）n阶下三角阵中到底有多少个位置可以取非零数呢

1.单独的P区变了非本征半导体,半导体内以空穴导电为主.2.初中高中物理上是很经典的说法.电子导电,空穴也能导电.只不过电子带负电荷空穴带正电荷.3.宏观上说,PN结正向电阻较低,反向电阻很高是造成反

能构成,V是他的子空间,验证加法和数乘运算的封闭性就可以了

由于反对称矩阵满足aij=-aji,主对角线上元素全是0所以主对角线以下元素由主对角线以上元素唯一确定所以维数为n-1+n-2+...+2+1=n(n-1)/2.

设B,C是W中任意两个元素,则(kB)A=k(BA)=k(AB)=A(kB),即kB∈W.(B+C)A=BA+CA=AB+AC=A(B+C),即B+C∈W,因此W对于加法和数乘运算封闭,W是一个子空间

阀门上一般都会标有DN.PN.这二个标识,DN指的是阀门的通径,PN指的是压力等级.例如：DN25,PN16就是指阀门口径为25mm的阀门,压力为16公斤（1.6Mpa）

电场方向由N指向P因为产生pn节后它的n端是带正电的p断带负电(一正一负整个半导体仍然不显电性)所以此时的电场方向由n端指向p端大小沿电场方向减弱我不知道怎么上图只好用语言表述了当然不是对称的啊你留个

用反证法.若λ＝0是特征值,ξ是对应的特征向量,那么：   Aξ＝λξ＝0于是,一方面：A^(-1)[Aξ]=A^(-1)[0]=0另一方面：A^(-1)[Aξ]=[A^

P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子

(2)不对交集至少有一个零元