平板电容公式(C=εS 4πkd)-搜答案-灵鹊做题网

C＝εS/4πkd是电容的决定式,也就是说我们可以说C与S成正比,与d成反比.简而言之,引起C变化的本质是S与d.C＝Q/U是电容的定义式,C不是由Q与U决定,而是可以由C和U来求出,所以不能讲C与Q

C=Q/u,画出Qu图像,是一条直线,且过原点,E=uq,可以把直线下方区域视作由无数小长方形构成的区域,每个长方形的面积为Qu,合起来直线下方就是一个三角形面积也就是电容器里能量,为1/2qu.电容

C=εS/4πkdε是介电常数,每一种材料都有自己的介电常数,是不变的S是电容器两极板的正对面积4就是阿拉伯数字4π即圆周率3.14……d是电容器两极板之间的距离计算电容C时,带入各数据计算即可

哦,4π只是一个常数.事实上去了大学你就会明白这个公式的由来,你说的“,平行板电容器的电容c跟介电常数ε成正比,跟正对面积成s正比,跟极板间的距离d成反比,”他们只是一个比例.只是一个比例关系.而加了

电介质的相对介电常数=电介质的介电常数/真空的介电常数,由此定义知真空的相对介电常数=1.电介质的相对介电常数恒大于1导体的"介电常数'=0,电容器被击穿后,电容器中的介质成了导体,电容C=0

左边C=Q/U=C/(Ed)=Qq/(Fd)其单位就有（C*C）/(N*m)右边εS/（4πF*r*r/q*q*d)其单位就有(m*m*C*C)/(N*m*m/m)故从量纲上也是正确的

这个你先记下来,要证明的话要在物理竞赛里面,会用到高斯定理,比较难理解

E=4πkQ/εS这个公式适用于平行板电容器.再问：那在此基础上在Q不变，U变，或者Q变U不变的两种情况下都可以么？再答：当εS确定之后，Q随U变（Q=CU），不存在：Q不变，U变或Q变U不变。

是度量式,定义式是C=Q/U

不知你是否也是大学生.大学的物理学习将解决很多疑惑,因为数学知识多了.但可能那些公式也看不太懂.我就自己理解说一下,或有偏颇请原谅.当一个电容两端加以电压,将会对其充电.因为电容板导电且面积较大,所以

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视电容中电介质种类而定

这里科学家们利用了“控制变量”的研究方法它具体是取多组实验,分别控制若干个可能的变量.当然此时人们是不知道有哪些变量的,所以就将可能的全部都算进去,然后依次排除或者确定,逐渐缩小范围后,最后就剩下那些

U=Q/C=4πkdQ/SE=U/d=4πkQ/S你的电场强度是不是错了.再问：怎么推再答：E就是我上面写的。如果是真空中平行板电容为C的话，用高斯定理来推导。再问：资料说用高斯定理2E△S=4πk△

静电力恒量的数值是要记住的.k=9.0*10^9.介电常数ε,理解它的意义就行了：电容器两极间充满某种绝缘物质时,电容器的电容是中间为真空时的ε倍,这个倍数ε就是这种物质相对一真空的介电常数.介电常数

因为ε0=1/(4πk),应该是C=εε.S/d,当电容以真空为介质时C=εS/d.

k代表静电力常量

C=s/4πKd.首先C=Q/U假设电容器内部的电场是E,那么U=Ed,d是极板的距离根据高斯定理得到sigma/e=Ee=1/4πKsigma是电容器的面电荷密度那么Q=sigma×s=Es/4πK

高中公式C=ε_rS/(4πkd)ε_r为相对介电常量大学公式为C=εS/dε为介电常量真空下介电常量为ε_0即真空下C_0=ε_0S/d定义ε_r=C/C_0将C_0=ε_0S/d代入C=ε_0ε_

静电力常数　k=9.0×10^9牛顿·米^2/库仑^2导电性越好的材料,介电常数越高