已知Β=50,Ubeq=0.7v,r=300Ω,v=8v,

对于图a；∵发射极电流=ic+ib=ib*β+ib=ib*(1+β)；∴ib*Rb+0.7+ib*(1+β)*Re=12(v)∴ib=（12-0.7）/[Rc+（1+50）*Re]=（12-0.7）/

Ub三极管的基极电压；Ue三极管的发射极电压；Ubeq三极管的基极到发射极的静态电压；再问：��Ubes��ʲô再答：Vbes即：Vbe(sat)；就是基极到发射极的饱和电压！

你问Ubeq如何得知的,那么这个是根据三极管的材料决定的,若是硅材料的三极管,Ubeq≈0.7V,若是锗材料的三极管Ubeq≈0.3V.另外,Q点的求根据分压原理,UB=Vcc*Rb1/(Rb1+Rb

（1）直接利用二倍角公式tan2β=2tanβ/(1-tan²β)=2*(3/4)/[1-(3/4)²]=(3/2)/[7/

mark,晚上做.高多少分呀~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~请参考空间给做的课题,里面有镜像电流源讲解连接http://hi.baidu.com/solank/

tan α=tan[（α-β）+β]=tan(α−β)+tanβ1−tan(α−β)tanβ=12+(−17)1−12×(−17)=13，tan（2α-β）=tan[（α-β）+α]=tan

1,直流电路如图2,先求B点电压,VB=Rb1*Vcc/(Rb2+Rb1)VB=UBEQ+(1+β)IBQ*Re,1+β约为βIBQ就求出来了,然后ICQ=β*IBQ,求得ICQUCEQ=Vcc-IC

Au=Uo/Ui=-(β*(Rc//RL))/rbe=-80*2.5/1=-200Ri=Rb//rbe=rbe=1KRo=Rc=5KAui=Au/Ai=Au*Ri/(RS+Ri)=-200/3=-66

答案是放大区么?我也在看模电~可以讨论讨论哈~Ube=0.7=Vcc-Ib*Rb,所以Ib=0.0000143A又因为Ic=贝特*Ib=30Ib所以,Uce=Vcc-Ic*Rc=4.57V所以BE正偏

1.静态时候工作在放大状态,但工作点选取较低,小信号时候电压放大倍数为60,信号稍大就会失真；输入电阻为Rb=530K,输出电阻为Rc//R1=2.5K.2.Vb=0.6V;Ib=(6V-0.7)/5

这个是这样子的再答：再答：你也学模电啊，日后多交流哦

(1)IBQ=(VCC-VBEQ)/RB=(12-0.7)/500k=0.0226mAICQ=β*IBQ=80*0.0226=1.808mAVCEQ=VCC-ICQ*RC=12-1.808*5k=2.

(1)假设三极管基极电压为UB,则   IBQ=(Vcc-UB)/RB1-(UB/RB2)     (a) &

22.6uA1.8mA3V-1671.2千欧5千欧-83.5

解答过程如下： 点击图片可以查看清晰大图

静态工作点根据电路图的直流通路来算,IBQ~VCEQ~IEQ；电压放大倍数：先根据电流放大系数求出输出电压和输入电压,最后求Av；输入输出电阻要根据电路图来画小信号模型,然后计算怎么说,你没图啊

基极电流=（15-0.7）/475K=0.03mA集电极电流=基极电流*β=0.03mA*50=1.5mAUCEQ=15V-3K*1.5mA=10.5V

Rbe设计三极管的内部结构,是一张蛮复杂的图,我相信你的模电书上肯定有.我举个例子,二极管导通的时候不是有个0.7V的电压吗?这个可以看作一个小电阻,上面有个0.7V的电压.注意我这里说的是看作.对于

Ube是管压降,是已知条件,不需要求（一般是默认的,题目不给出）,锗的Ube是0.2,硅是0.7再问：但是题中并没说是硅管还是锗管啊再答：一般是硅制晶体管，有时候他会给出三极管的型号，可以得出是硅或锗

(1)“=1V”应该是Ueq吧.Rc=(Vcc-Ucq)/Icq=(9-4)/2=2.5kΩIeq=Icq*(1+β)/β=2*51/50=2.04mARe=Ueq/Ieq=1/2.04=0.490k