灵鹊做题网8050三基极上拉一个电阻到VCC,串一个电阻到IO
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/29 09:54:23
基极要1K左右,集电极要470K左右就可以了,不用太精确,做开关的没必要计算他的放大倍数,只考虑让他工作在截止和饱和导通状态就行了
电容的属性是电容两端的电压不会突变,电压只能随着电容积累的电荷量的增加而上升.芯片是低电平复位有效时,电阻接正电源,电容接地,开机的瞬间,电容器电压为零,芯片复位信号有效,芯片进入复位过程,随着电源通
基极电阻为10K~15K,或只要基极电压≥1V则三极管就饱和导通.
该问题无法回答,应结合具体电路,一般来说可以,但从来没人用这种方法提高电压.
上拉电阻定义：上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平!电阻同时起限流作用!下拉同理!上拉是对器件注入电流,下拉是输出电流；弱强只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分；对于非集电极（或漏极）开
1、取基极串入电阻（欧姆）=HEF*【输入信号电压（V）-0.7（V)】/0.3(A）即可,选单个三极管只要输出能力满足要求就可以实现.2、耗散功率计算正确,但需要考虑截止到饱和过渡期间功耗较大的问题
上拉电阻高电位高于3,6V会使T4截至
位选要加三极管,加个s8050就可以,其他IO口接个10K的电阻,接到基极B,C接控制位,E接地.再问：那P0上的上拉电阻一般选多大啊?
这句话本身就是错误的!1.三极管导通的一个条件是：基极和发射极之间的电压正向偏置并大于死区电压；2.集电极与发射极之间的电压也需要正向偏置.3.三极管饱和导通的时候（Ubes>0.7V）,基极的电位有
当然不行了,直接接电源,就不能再输出低电平了,而且有可能把P0口烧了
看你这个截图背景有些像是出于仿真软件Proteus,别区大了去了!光耦一边是发光二极管（发的不是普通的光,光谱不一样为了抗杂光干扰）,一面是受光的光敏三极管,不管你怎么去用,上拉也好,下拉也好,这里就
你的问题表述不准确：1、如果是基极上串联的电阻目的是减小静态或动态信号电流,防止饱和失真,有的也起到增加输入阻抗作用,发射极串联电阻是为了稳定工作点、是负反馈电阻.2、如果你问得是基极与发射极间并接的
上拉,就是把电位拉高,比如拉到VCC下拉,就是把电压拉低,拉到GND一般就是刚上电的时候,端口电压不稳定,为了让他稳定为高或低,就会用到上拉或下拉电阻.有些芯片内部集成了上拉电阻,所以外部就不用上拉电
R35和R53共同起到对输入信号分压的作用,R35还有限流作用,它们的作用是防止输入到三极管基极的信号过强,如果没有这两个电阻,有可能损坏三极管.它们还有调整放大倍数的作用（和集电极电阻R69共同决定
上拉电阻提高输出带负载能力,至于电容是减少干扰吧
上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平,电阻同时起限流作用,1TTL驱动CMOS时,如果TTL输出最低高电平低于CMOS最低高电平时,提高输出高电平值2OC门必须加上拉,提高电平值3加大输出的
先要知道信号线要求的电流和CPU或集成的内部电阻,就可计算出上拉电阻的电压,就得到电阻.一般一个CPU或集成电路的上拉电阻是工厂出厂时已设计好的.供电5V的CPU的上拉电阻是1K欧,到CPU脚上的电压
半导体硅和锗,现做模板再在两侧放导线,最后冷却成形.
1,图中的电路没有必要加R3及那12V电压.2,由于8051单片机输出高电平时是靠内部的上拉电阻提供电流,所以引脚输出的电流不会好大,所以没有必要在单片机I/o口与三极管基极间接一个电阻到地,即可以不