8050 加 mos电路

楼主,你好出现这样的情况是因为你的那两件元件所定义的封装名称不同造成,楼主只需要在原理图里面将这两件元件的封装名称改成一样就行了.双击要修改的元件,在封装一栏里面修改你想要定义的封装即可.原理图：PC

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管,有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间

用1个NPN三极管,把基极和发射极接在取样电阻两端,集电极输出到IO,当电流增大时,电阻上的压降增加,超过三极管的导通电压后,集电极输出信号给单片机.

有两个用处,第一是保护,防止不正常工作状态和误触发.第二是让mos管尽快从导通进入到截止,这个10K的电阻就是提供一条让mos管的基极电荷流到地的通道,提高MOS管的开关速度,进而提高电路性能.

太简单了.我给你个电路吧.AOD448是30V 75A的管子,这个是4.5V驱动的,偏高了点.可以用AOD442,AO3416等管子,2.5V就能驱动.2.5V时,只有26豪欧.电流两三A没

MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可变电阻区和夹断区内工作时,MOS管相当于一个电子开关.MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系,因

BG5和DW构成一简单的直流稳压电源作为前级交流信号产生部分的工作电源,目的是为了降压,做DC/DC变换.开关闭合后该电源开始工作,前级获得工作电源后开始工作,将产生的交流小信号送后级MOS管组成的推

从技术上看没有任何问题,但是没有必要采用分离元件自己搭建电路,用一个Pwm芯片推动很是方便,例如UC3843,就是为驱动MOS管设计的.再问：这是UC3909电路图外面的部分电路，只是没有具体的元器件

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写,MOS电路由MOSFET（场效应管）构成,MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离,因此栅-衬间的电阻极大,而MOS电路的输入内部就是与栅极相接,所以输入

图中的R2和R1没有必然的联系,可以独立设置.你说的是不是LM358的放大比设定?R5/R4?R5/R4是LM358的放大比,比值越大LM358的输出电压高越高,MOS管的输出电流（LED的电流）也就

■这是一个用场效应管构成的稳压电源电路.左端是输入端,加进未经稳压的高电压,经过Q28输出后被R147和R148组成的分压器分成1/2的电压供给场效应管Q29.如果输出电压变高,Q29就更多地导通,于

缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动

假设没有三极管,并将下面运放的6、7相连,就是一个运放跟随器,电压放大倍数=1,运放7的输出等于输入端5的电压.因为运放的两个重要特征：1）开环电压放大倍数非常大,10的n次方；2)运放的输入端内阻很

电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小,同时也会引起效率下降.峰峰值和过电压的尖峰不是一回事.

MOS管的GS级有寄生电容,而且电容值还不小,所以通常情况下会在GS之间挂一个几K的电阻,平且在驱动线路中串如一个几欧姆或者更小的电阻,以防止驱动放生震荡再问：PWM方波输出脚为什么要并联一个4148

电阻很难做进芯片内,体积也大,恒流源的作用和电阻一样,但可以用半导体做,能做到芯片内.

MOS管,没用过,不知道怎么用,不过,振荡的频率都是和RC的时间常数有关系的,和输出没有什么关系的吧既然你都是用的RC,那就是频率并不高了,干脆用一个运放就可以了.电路好找,资料也好找

CMOS电路组成是以PMOS管作为驱动管,以NMOS管作为负载管.CMOS电路指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺,它的特点是低功耗.由于CMOS中一对MO

个人观点.首先MOS管是四端器件,栅源漏衬,一般源衬短接.在集成电路制造中,NMOS制作在P型衬底上,P衬上做N阱,而PMOS做在N阱上的,如果只有一个PMOS管（比如左边的电路）,那么当控制引脚是高

有可能直流电机调速如充电手电钻,有损坏的电路板图片可能更清楚.再问：如果是调速，那mos管为什么是一个单独驱动，另外两个单独驱动呢？电路板是用强酸腐蚀环氧树脂腐蚀出来的，已经完全损坏，而且电路板做工不