在基极电流不变,uce与IC光系曲线

aa《模拟电子技术基础》对三极管的外特性有很清楚的描述:集极电流Ib增大时,假设放大倍数不变,集电极Ic也会同比例增大.根据外特性曲线,Ic增大后,直流工作点从放大区向饱和区移动,Vce会相应减小,等

三极管基极电流Ib的微小变化,将会引起集电极电流IC（较大）变化,这说明三极管具有（放大）作用.

1.23mA、2.05mA

因为这时晶体管处于饱和状态,集电结和发射结都正偏,则很小的集电结电压变化即可引起很大的集电极电流变化.详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

在共发射极的情况下,发射极电流等于集电极电流加基极电流,在基极和发射极两端并联一个电阻,也就是加了一个偏置电路,对通过三极管的电流有影响；而对三极管的电流分配没影响.

电压是由偏置电路中的电阻确定的,因而不随晶体管变化,而基极电流Ib则与晶体管等效电阻有关,故变化.建议参考童诗白、华成英《模拟电子技术基础》再问：Ic不是随Ib变化的吗？再答：Ic也会变的，只有电压是

三极管输入特性曲线是反映ib与ube的变化关系,你说的uBE总是在0.7左右,是指在正常的放大状下,但ube可以在0V-0.7V之间变化呀.你强行在uBE两端加上电压2v,那三极管就立即烧坏了,还谈什

三极管饱和时Ic电流不随Ib变化,如果此时Ib继续增大,Uce减少,这是叫做过饱和.这时Ic已经达到最大,这个最大值是由三极管的负载电阻决定的.

饱和区是很大的,只要饱和时Ic要小于βIb,可以无限大的,当然也不能超出最大IC值,不然三极管会烧的.饱和情况下,集电极回路阻抗变化,电流变化是对的.因饱和时,三极管VCE只是相当于一个二极管,是有一

Uce=Vcc-Ic*Rc说的是三极管外电路的关系.因为VCC和地之间只有Rc和三极管,所以电阻上降的电压加上三极管ce之间降的电压必然等于VCC.而这时Ic的变化只能靠Ib变化,而三极管特性曲线的那

必须有足够的电源.关键是集电极,应该有个合适的电阻Rc.这样,加大Ib即可使得Vce下降,降到1V、0.5V,都可以.这才能说：CE电压随基极电流变化,加大Ib可以使三极管饱和.

这是共发射极输出特性曲线,是三极管最常用的放大工作状态,也最能体现三极管的性能.共基极和共集电极有各自的输出特性曲线,但用的相对少.

因为三极管工作在放大状态时,基极和集电极的电流满足电流放大关系：Ic=βIb,因此只要工作在放大状态,基极电流不变时,即使增大Uce,Ic仍然是满足电流放大关系的,即Ic基本不变.

1.5mA/30uA=50

三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定,即使电源电压不变,如果集电极电阻改变,饱和电流也会改变,当集电极电阻增大时,三极管的饱和电流减小,当集电极电阻减小时,三极管的饱和电流增大.

三极管的放大作用指的是：输出的信号电流Ie比输入的信号电流Ib大.再答：对三极管来说欧姆定律不成立。再问：可是书上的电路分析都是用欧姆定律的再问：就像这个再问：再答：Ib就象开关那样，它的变化会引起I

原因主要有3个,一是环境温度低于测试穿透电流的规定温度,二是实际电压低于测试穿透电流的规定电压,三是此管质量上程.

如果偏置电路将三极管设定为开关状态（即饱和及截止状态）,集电极电流不变；如果偏置电路处于放大状态,集电极电流变大.基极电流是由基极偏置电位决定的,一般与三极管关系不大,所以基极电流应该不变或变化很小.

当Ic增大到使Uce很小时,也就是Uc接近于Ue时,此时三极管已经失去了放大能力,Ic已经不能随Ib的增加而增加,所以称为饱和区!此时Uce已经很小了,即处于你下图中虚线左边的位置了!你上面的电路中,

首先纠正你的说法：“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce.是集电极到发射极的电压.你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc,这种关系才成立.Rc两端