在NPN三极管集电极和基极中串联个电容的作用

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

基极b控制集电极c的电流.NPN：放大状态时,各脚电压比c>b>e,即基极电压小于集电极电压且大于发射极电压；b－e电压约为0.7伏为正常；PNP：放大状态,c

因为你没发电路图上来,我想你这可能是一个发声的电路.在集电极与基极之间加上交流的正反馈电路,使电路尽早地进入饱和和截止状态.

在共发射极的情况下,发射极电流等于集电极电流加基极电流,在基极和发射极两端并联一个电阻,也就是加了一个偏置电路,对通过三极管的电流有影响；而对三极管的电流分配没影响.

三极管特性是基极控制集电极电流,所以一个NPN型三极管的集电极接电源正极,发射极接电源负极,基极不接电源的任何一端,或者接负极时,集电集和发射极没有电流通过.如集电极和发射极有电流通过,说明三极管漏电

1、基极电流过大;2、集电极电流过大.

在EWB和orcad中没有9013等型号,而且9013的有不同的型号,放大倍数也不一样；当在仿真中,使用增益较小的三极管仿真时候,会出现放大状态的.因此用型号不同的三极管仿真是很难得出正确结论的.

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→Rb→b→e→地；IC：VCC→Rc→c→e→地；IE=IB+

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

1、取基极串入电阻（欧姆）=HEF*【输入信号电压（V）-0.7（V)】/0.3(A）即可,选单个三极管只要输出能力满足要求就可以实现.2、耗散功率计算正确,但需要考虑截止到饱和过渡期间功耗较大的问题

直流电压吗.如果在基极有交流输入,那就可以了.只要交流信号超越了0.6v就可以强制导通.如果基极到低,有个电感,那也可以,交流信号会直接叠加,形成负偏压.

都必须产生回路啊,不然电路怎么能够运行呢?大神级问题解答完毕.

负载放在集电极是共发射极电路,具有电流、电压放大能力.优点是三极管的饱和压降小,在同一电源下继电器得到的电压较高,还可以选用不同的电源电压以适应各种继电器.负载放在发射极是共集电极电路（射极跟随器）,

基极电压Vbe=0.7VIb=(15-0.7)/100k=43μA设三极管放大倍数为β,则Ic=43μA*βVce=15V-5k*43μ*βV=(15-0.215*β)V1.如果Vce>Vcb,则三极

不能直接取代.再问：那基极的电流为什么前面有个负号呢？是PNP管的原因吗？再答：PNP三极管发射极和集电极导通是需要在基极和发射极加-0.7v电压，即发射极电压要比基极高0.7V，而NPN三极管集电极

一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc

四句口诀：“三颠倒,找基极；PN结,定管型；顺箭头,偏转大；测不准,动嘴巴.”下面让我们逐句进行解释吧.1：三颠倒,找基极大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件.根据两个PN结连接方式不同,可以

这个题目挺有意思.答案是A.你存在的问题是：在分析的时候,自动加了个条件,也就是三极管处于放大状态,也形成了电流,而这个题目里面,丝毫看不出有这个前提条件.如果只是集电极发射极加电压,其实这个三极管是

集电极用22欧电阻作用是限制电流,基极的1K电阻有三个作用：一是避免从数字电路中拉电流过大,二是保证基极有足够的驱动能力,三是避免数字电路实际不为“0”电平时基极能够截止.另外,你用的很可能不是蜂鸣器

三极管内部包含两个PN结,分发射极、基极和集电极,其中基级和集电极之间电压是不固定的,而发射极与基极之间一般是0.7伏的电压